02 · 产业链

从沙子到系统

芯片产业是一场专家接力。价值——与话语权——集中在少数卡点:光刻、先进代工、EDA 与存储。这是完整的上游到下游。

一图概览

每一环都喂给下一环。越往上游越隐形,供应商也越集中。

上游 · 投入

材料与设备

  • 硅片、气体、光刻胶
  • 光刻(ASML — EUV 垄断)
  • 沉积/刻蚀(AMAT、Lam、TEL)
  • 量测(KLA)
中游 · 设计

EDA、IP 与芯片设计

  • EDA 工具(Synopsys、Cadence)
  • IP 核(Arm)
  • 无晶圆设计(英伟达、AMD、高通、苹果、联发科)
中游 · 制造

代工与 IDM

  • 纯代工(台积电、三星、中芯、联电)
  • IDM(英特尔、三星、美光、TI、英飞凌)
  • 晶圆制造
下游 · 产出

封测与终端

  • 先进封装(CoWoS、HBM 堆叠)
  • OSAT(日月光、安靠)
  • 终端:AI 服务器、手机、汽车、工业

价值自左向右流动;越靠左,定价权越强。

2.1

上游:做工具的人

没有一小撮设备厂商,就建不起先进晶圆厂。前五名——应用材料、ASML、泛林、东京电子、KLA——合计约占整个设备市场的 56–66%,该市场 2025 年超过 1230 亿美元。ASML 独家垄断 EUV 光刻,这是 3nm 及以下印制最精细线条的唯一途径。

晶圆制造设备 — 竞争格局

约占 ~1230 亿美元设备市场份额,2025
来源:公司财报、PatentPC、市场估算
卡点 · 光刻ASML 是 EUV 扫描机的唯一供应商,约占全部光刻设备的 32%。从未有 EUV 设备运入中国晶圆厂——这是出口管制中最关键的杠杆。
卡点 · 沉积与刻蚀应用材料与东京电子合计掌控 45%+ 的沉积与刻蚀——逐层构建芯片的工序。

设备流向哪里

2025 年亚太吸收了约 69% 的设备营收,反映先进与存储产能集中在台湾、韩国与中国。

2.2

中游:设计与代工模式

行业很早分工:无晶圆设计(英伟达、AMD、高通、苹果、联发科)、按单制造的纯代工(台积电、三星、中芯),以及两者皆做的 IDM(英特尔、三星、美光)。两家美国公司 Synopsys 与 Cadence 提供没有就设计不出现代芯片的 EDA 软件;英国 Arm 授权大多数处理器内的指令集 IP。

代工市场份额

2025 纯代工营收份额(约 3200 亿美元市场)
来源:TrendForce、Tom's Hardware、公司财报

先进制程阶梯

2026 年中,谁能在各节点制造
节点制造商用途
2nm台积电、三星(爬坡)下一代 AI / 旗舰 SoC
3nm台积电、三星AI GPU、高端移动
5/4nm台积电、三星、英特尔当前 AI 加速器
7nm台积电、三星、英特尔、中芯*HPC、移动
≥14nm+ 联电、GlobalFoundries、中芯汽车、工业、IoT
*中芯无 EUV 量产 7nm,良率/产能有限。
台积电为何重要2025 年台积电增长约 36%,其余代工仅约 8%,份额逼近 70%。先进 AI 硅片实质上单一来源——这是整个 AI 建设的集中风险。
2.3

下游:封装是新前线

随着晶体管微缩放缓,先进封装成为竞争战场。台积电的 CoWoS(chip-on-wafer-on-substrate)封装是 AI 加速器的产能瓶颈——每颗英伟达 GPU 都需要它,HBM 存储在此键合。封测(OSAT)由日月光、安靠领跑。

先进封装

CoWoS、SoIC、Chiplet。2024–26 年 AI GPU 产量的真正瓶颈;台积电每年翻倍 CoWoS 产能。

HBM 集成

高带宽存储堆叠并键合在逻辑芯片旁。SK 海力士领先,三星、美光紧随。

OSAT 与测试

外包封测(日月光、安靠、长电)。已商品化但不可或缺,日益与晶圆厂就近协同。